Mindestanforderungen: Anlage zur Dünnfilmabscheidung mittels Elektronenstrahlverdampfen u. Sputtern in einer Prozesskammer mit einem Basisdruck von 5·10-8 mbar oder weniger. Ein-/Ausschleusen von zu beschichtenden Substraten über ein Loadlock. Substratgrösse kreisförmig, mit mind. Ø 100 mm. Plasma-Reinigung von Substraten in der Prozesskammer. Elektronenstrahlverdampfer mit mind. 4 verschiedenen Tiegeln, Substratkühlung zur Verhinderung der Degradierung von Polymermasken. Verkippung des Substrats um eine Achse senkrecht zur Verdampfungsrichtung, um Winkel von mindestens -45 bis +45°, stufenlos einstellbar. Sputtern mit mind. 4 separaten Magnetronquellen, reaktives Sputtern mit N2 und O2, Co-Sputtern mit 2 Magnetrons, Sputtern mit DC-bias und rf-bias, Sputtern von ferromagnetischen Materialien. Schichthomogenität bei Sputterprozessen von +/-5% oder besser über 100mm Probendurchmesser. Weitere Mindestanforderungen: Siehe Weitere Informationen (bzw. Pkt. m) in dieser Bekanntmachung.